Полупроводниковые биполярные транзисторы: понятие, назначение, устройство, ВАХ , параметры, маркировка
Добавлено: 04 окт 2022, 20:26
Отрывок из работы по теме "Полупроводниковые биполярные транзисторы: понятие, назначение, устройство, ВАХ , параметры, маркировка"
А здесь Полный список доступных для заказа тем рефератов и теоретических вопросов
Работа биполярного транзистора основана на взаимодействии двух p-n-переходов. Это обеспечивается тем, что толщина средней области (базы) транзистора выбирается меньше длины свободного пробега (диффузионной длины) носителей заряда в этой области.
Принцип работы биполярного транзистора рассмотрим на примере транзистора n-p-n-типа, для которого концентрация основных носителей в n-области существенно выше, чем в р-области, т.е. справедливо неравенство n_n≫p_p. Для данной структуры рис.4.1а левую n-область, которая будет инжектировать электроны в соседнюю р-область, называют эмиттером. Правую р-область, которая должна экстрактировать находящиеся в соседней р-области электроны, называют коллектором. Среднюю область – базой.............
Как видно из рисунка, каждый из переходов имеет донную и боковые части. Рабочая (активная) область транзистора расположена под донной частью эмиттерного перехода (эта область на рис.4.1б не заштрихована). Остальные (заштрихованные) области структуры являются пассивными, т.е. известной мере паразитными.
А здесь Полный список доступных для заказа тем рефератов и теоретических вопросов
Работа биполярного транзистора основана на взаимодействии двух p-n-переходов. Это обеспечивается тем, что толщина средней области (базы) транзистора выбирается меньше длины свободного пробега (диффузионной длины) носителей заряда в этой области.
Принцип работы биполярного транзистора рассмотрим на примере транзистора n-p-n-типа, для которого концентрация основных носителей в n-области существенно выше, чем в р-области, т.е. справедливо неравенство n_n≫p_p. Для данной структуры рис.4.1а левую n-область, которая будет инжектировать электроны в соседнюю р-область, называют эмиттером. Правую р-область, которая должна экстрактировать находящиеся в соседней р-области электроны, называют коллектором. Среднюю область – базой.............
Как видно из рисунка, каждый из переходов имеет донную и боковые части. Рабочая (активная) область транзистора расположена под донной частью эмиттерного перехода (эта область на рис.4.1б не заштрихована). Остальные (заштрихованные) области структуры являются пассивными, т.е. известной мере паразитными.