А здесь Полный список доступных для заказа тем рефератов и теоретических вопросов
Фотоэлектронные (фотоэлектрические) приборы предназначены для преобразования световой энергии в электрическую.
Все полупроводниковые фотоэлектрические приборы основаны на внутреннем фотоэффекте – возбуждении атомов и росте концентрации свободных носителей заряда под воздействием светового излучения. При этом в полупроводнике растет проводимость, а на p-n переходах появляется ЭДС.
К фотоэлектронным приборам относятся фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы и фототиристоры...
2. Энергетическая характеристика — это зависимость фототока (фоторезистора) от светового потока. В области малых Ф она линейная, а при увеличении Ф рост фототока замедляется из-за возрастания вероятности рекомбинаций носителей заряда через ловушки и уменьшения их времени жизни. Энергетическая характеристика иногда называется люкс-амперной. Тогда по оси абсцисс откладывается не световой поток, а освещенность Е в люксах....
Фотодиод по структуре аналогичен обычному полупроводниковому диоду. Отличие состоит в том, что его корпус снабжен дополнительной линзой, создающей внешний световой поток, направленный, как правило, перпендикулярно плоскости p-n-перехода....
Основные параметры фототиристора:
• 1) напряжение включения (UBKJl), В;
• 2) прямой ток (Iпр), А;
• 3) темновой ток (Iт), мкА;
• 4) запускающее излучение (мВт/см2) показывает мощность светового потока на 1 см2.
